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晶闸管万向注册主要技术参数:
断态峰值电压VDM : 0-2000V;电压临界上升率dV/dt: 30-1000V/us外形尺寸:440×440×150mm整机重量:15kg
晶闸管万向注册用于测试普通可控硅、双向可控硅、快速可控硅和可控硅模块的断态电压临界上升率dV/dt。数字显示断态峰值电压VDM 。
邮箱:[email protected]
传真:
地址:重庆市洪崖洞56号
TEL:13661171160